. |
|
|
Symbol |
Opis |
Cena[zł]
|
PT-TO3-M |
Podkładka pod tranzystor w obudowie TO3 - mikowa |
0,21 |
PT-TO3-S |
Podkładka pod tranzystor w obudowie TO3 -
silikonowa |
0,78 |
PT-TO3-C |
Podkładka pod tranzystor w obudowie TO3 -
ceramiczna |
8,50 |
. |
Podkładki izolacyjne pod tranzystory w obudowach TO3
Symbol |
wymiar[mm] |
izolacja |
rez. cieplna |
rezystancja |
PT-TO3-M |
26.5x40x0.3 |
|
0.35K/W |
|
PT-TO3-S |
28x42x0.3 |
10kV/mm |
0.4K/W |
2,9·1015 Ω |
PT-TO3-C |
26.5x40x2.9 |
10kV/mm |
|
100TΩ/cm |
| |
. |
. |
|
|
Symbol |
Opis |
Cena[zł]
|
PT-TO220-M |
Podkładka pod tranzystor w obudowie TO220 - mikowa |
0,21 |
PT-TO220-S |
Podkładka pod tranzystor w obudowie
TO220 - silikonowa |
0,44 |
PT-TO220-C |
Podkładka pod tranzystor w obudowie TO220 -
ceramiczna |
3,95 |
. |
Podkładki izolacyjne pod tranzystory w obudowach TO220
Symbol |
wymiar[mm] |
izolacja |
rez. cieplna |
rezystancja |
PT-TO220-M |
13x18x0.3 |
|
0.35K/W |
|
PT-TO220-S |
13x18x0.3 |
10kV/mm |
0.4K/W |
2,9·1015 Ω |
PT-TO220-C |
12x18x1.5 |
10kV/mm |
|
100TΩ/cm |
| |
. |
. |
|
|
Symbol |
Opis |
Cena[zł]
|
PT-TOP3-M |
Podkładka pod tranzystor w obudowie TOP3 - mikowa |
0,42 |
PT-TOP3-S |
Podkładka pod tranzystor w obudowie
TOP3 - silikonowa |
0,60 |
PT-TOP3-C |
Podkładka pod tranzystor w obudowie TOP3 -
ceramiczna |
4,80 |
. |
Podkładki izolacyjne pod tranzystory w obudowach TOP3
Symbol |
wymiar[mm] |
izolacja |
rez. cieplna |
rezystancja |
PT-TOP3-M |
20x18x0.3 |
|
0.35K/W |
|
PT-TOP3-S |
20x18x0.3 |
10kV/mm |
0.4K/W |
2,9·1015 Ω |
PT-TOP3-C |
20.5x17.5x1.5 |
10kV/mm |
|
100TΩ/cm |
| |
. |
. |
|
|
Symbol |
Opis |
Cena[zł]
|
PT-TO3P-M |
Podkładka pod tranzystor w obudowie TO-3P/SOT93 - mikowa |
1,42 |
PT-TO3P-S |
Podkładka pod tranzystor w obudowie
TO-3P/SOT93 - silikonowa |
1,60 |
PT-TO3P-C |
Podkładka pod tranzystor w obudowie TO-3P/SOT93 -
ceramiczna |
10,80 |
. |
Podkładki izolacyjne pod tranzystory w obudowach TOP3
Symbol |
wymiar[mm] |
izolacja |
rez. cieplna |
rezystancja |
PT-TO3P-M |
20x25x0.3 |
|
0.8K/W |
|
PT-TO3P-S |
20x23x0.3 |
10kV/mm |
0.4K/W |
2,9·1015 Ω |
PT-TO3P-C |
20x26x1.0 |
10kV/mm |
|
100TΩ/cm |
Aktualne ceny i dostępność w sklepie internetowym | |
. |
. |
|
|
Symbol |
Opis |
Cena[zł]
|
PT-TO218-M |
Podkładka pod tranzystor w obudowie TO218/247 - mikowa |
0,38 |
PT-TO247-S |
Podkładka pod tranzystor w obudowie
TO218/247 - silikonowa |
0,60 |
PT-TO218-C |
Podkładka pod tranzystor w obudowie TO247/218 -
ceramiczna |
4,00 |
. |
Podkładki izolacyjne pod tranzystory w obudowach TOP3
Symbol |
wymiar[mm] |
izolacja |
rez. cieplna |
rezystancja |
PT-T218-M |
21x24x0.3 |
|
0.35K/W |
|
PT-T247-S |
21x24x0.3 |
10kV/mm |
0.4K/W |
2,9·1015 Ω |
PT-T218-C |
21x24x1.5 |
10kV/mm |
|
100TΩ/cm |
Aktualne ceny i dostępność w sklepie internetowym | |
. |
. |
|
|
Symbol |
Opis |
Cena[zł]
|
PT-TO126-M |
Podkładka pod tranzystor w obudowie TO126/SOT32 - mikowa |
0,38 |
PT-TO126-S |
Podkładka pod tranzystor w
obudowie TO126/SOT32 - silikonowa |
0,60 |
PT-TO126-C |
Podkładka pod tranzystor w obudowie
TO126/SOT32 -
ceramiczna |
3,20 |
. |
Podkładki izolacyjne pod tranzystory w obudowach TOP3
Symbol |
wymiar[mm] |
izolacja |
rez. cieplna |
rezystancja |
PT-TO126-M |
8x11x0.3 |
|
0.35K/W |
|
PT-TO126-S |
8x11x0.3 |
10kV/mm |
0.4K/W |
2,9·1015 Ω |
PT-TO126-C |
8x11x1.5 |
10kV/mm |
|
100TΩ/cm |
Aktualne ceny i dostępność w sklepie internetowym | |
. |
. |
|
|
Symbol |
Opis |
Cena[zł]
|
PT-TUL-TO3 |
Tulejka pod tranzystor w obudowie TO3 |
0,40 |
PT-TUL-TO220 |
Tulejka pod tranzystor w obudowie
TO220 |
0,23 |
PT-TUL-TO126 |
Tulejka pod tranzystor w obudowie TO126/SOT32 |
0,74 |
. |
Tulejki izolacyjne pod tranzystory. Przewodniość cieplna; 200mW/mK.
Maksymalna temperatura pracy 130 stopni C.
typ obudowy |
D |
d1 |
d2 |
H |
S |
TO3 |
7.1 |
3.1 |
3.8 |
3.5 |
1 |
TO220 |
6 |
3.1 |
3.5 |
2.2 |
1 |
TO126 |
8 |
2.6 |
3 |
4.4 |
2.1 |
Aktualne ceny i dostępność w sklepie internetowym | |